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Schnelle thermische Prozessierung von Cu(In, Ga)Se2-Schichten
Deutsch
124 b
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Gegenstand dieser Arbeit ist die Bestimmung der optimalen Parameter für den schnellen thermischen Annealing-Prozess. Es ist der Kernprozess zum Herstellen des Absorbers bei Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen. Im ersten Teil werden der Centrotherm Thinfilm Prozess sowie das ternäre Phasendiagramm von CIS beschrieben. Der Aufbau und die Regelung des Miniatur-RTP-Ofens sind weitere Bestandteile dieses Kapitels. Die Vorstellung der verwendeten Messmethoden soll einen Einblick geben, wie die späteren Ergebnisse gewonnen wurden. Im zweiten Teil werden in der Probenpräparation die Reproduzierbarkeit, die Präparation, die Temperaturcharakteristik des Ofens, Versuche mit der nominellen Prozesstemperatur, der Haltezeit sowie der Precursordicke beschrieben. Anschließend erfolgen die Auswertungen der einzelnen Versuchsergebnisse mit nachfolgender Diskussion und ein Ausblick auf weiterführende Maßnahmen.
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