Impact Des Perturbations lectromagn tiques Sur Les Composants Si/Sige

Cette travail propose une nouvelle méthodologie pour l'étude de la fiabilité des TBHs en technologie SiGe. L'originalité de cette étude vient de l'utilisation d'une contrainte électromagnétique efficace et ciblée ŕ l'aide du banc champ proche. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite ŕ l'interface Si/SiO2.Ceci est attribué ŕ un phénomčne de piégeage induit par des porteurs chauds. Ce phénomčne a été abordé par la modélisation physique en étudiant l'influence des pičges d'interfaces sur la dérive des performances. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent ętre détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET et des analyses EDS ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane. Ces dégradations sont attribuées ŕ un phénomčne de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due ŕ la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.